（一）半導體可控硅模塊集成電路的發展過程
         1.電工線路（電阻器?電感線圈?電容器等元器件組成,不包括半導體元器件） 
         2.半導體線路（電路中包括了二極管?晶體管和可控硅管等半導體器件）
         3.分立元器件電路
         4.半導體集成電路
         定義：把可控硅模塊?電容和半導體器件集中制作在同一半導體基片上,並在內部實現互連的電路?小規模集成電路(SSI)-中規模集成電路(MSI)-大規模集成電路(LSI)-超大規模集成電路(VLSI)
        （二）半導體可控硅模塊的特性:
         ①導電性能介于導體和絕緣體之間；
         ②當半導體受到外界光和熱的刺激時，其導電能力將發生顯著的變化；
         ③在純浄的半導體中加入微量的雜質，導電能力會有顯著増加。

         特性形成:
         ①半導體的原子結構和共價鍵
         ②本征半導體的導電作用，就是完全純浄的?結構完整的半導體晶體?
         ③雜質半導體的導電作用
         2.可控硅模塊PN結的形成和特性
         P型?N型半導體交界處電子和空穴存在濃度差
         PN結的特性――単向導電性
         正向PN結表現為一個很小的電阻-正向電流 I隨外加PN結電壓顯著変化
         反向PN結表現為一個很大的電阻-反向電流 I’很小?為飽和電流
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