當晶閘管模塊損壞后，我們需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面就有昆二晶晶閘管模塊小編為大家介紹導致晶閘管模塊損壞的五大原因：
       1、電壓擊穿。晶閘管模塊因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。
       2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制極上。
       3電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。

       4、邊緣損壞。他發生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。
       5、G-K電壓擊穿。晶閘管模塊G-K間因不能承受反向電壓（）12V）而損壞，其芯片G-K間有燒焦的通路（短路痕跡）。
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