我們都知道晶閘管的di/dt，就是我們常說的通態電流上升率。在晶閘管的使用中，di/dt這項參數的變化與晶閘管性能的體現有著密切關系。下面就為大家詳細說說晶閘管通態電流上升率過高的四大注意事項：
    (1) 晶閘管的di/dt承受能力與其芯片結溫有直接關系，di/dt承受能力隨著溫度的上升會有明顯的下降。因此用戶在使用時必須保證器件的散熱條件。要求在工作過程中，普通晶閘管：Tj≤125°C，高頻、快速晶閘管：Tj≤115°C。
    (2) 晶閘管的di/dt承受能力實際反映了器件的電流快速開通能力，它受器件門極觸發條件影響很大。采用上升率極陡的強觸發脈沖，可以明顯減小器件開通時間和開通損耗，增強器件di/dt承受能力。觸發脈沖要求為：觸發電流幅值：IGM = (4至10倍) IGT；觸發電流上升時間：tr小于1µs。

    (3) 晶閘管在承受過高的di/dt時，會在其芯片產生局部瞬時高溫，這種局部瞬時高溫在長期工作中會影響器件的工作壽命。因此，使用者在任何時候，都應保證di/dt不應超過器件生產廠家給出的規定值，并且留有一定裕量。
    (4) 晶閘管的di/dt與其開通損耗關系極大，晶閘管高di/dt應用于高頻率場合時，需考慮開通損耗上升引起的結溫上升，用戶應考慮降低器件通過的通態電流或增強器件散熱能力。  
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