隨著電子元器件行業的不斷發展，現如今很多人對可控硅模塊已經很了解了，那么可控硅模塊元件中參數的符號都代表了哪些意義呢？下面由可控硅模塊廠家昆二晶為大家一一介紹：
        ①可控硅模塊斷態電壓臨界上升率dv/dt：在額定結溫和門極斷路時，使元件從斷態轉入通態的最低電壓上升率。
        ②可控硅模塊門極觸發電流IGT：在室溫下，主電壓為6伏直流電壓時，使元件完全開通所必須的最小門極直流電流。
        ③可控硅模塊斷態重復峰值電壓VDRM：為不重復斷態峰值電壓的90％。

        ④可控硅模塊門極觸發電壓VGT：對應于門極觸發電流時的門極直流電壓。
        ⑤可控硅模塊斷態重復平均電流IDR：對應于斷態重復峰值電壓下的平均漏電流。
        ⑥可控硅模塊斷態不重復峰值電壓VDSM：門極斷路時，在正向伏安特性曲線急劇彎曲處的斷態峰值電壓。
        ⑦可控硅模塊斷態不重復平均電流IDS：門極斷路時，在額定結溫下對應于斷態不重復峰值電壓下的平均漏電流。
        ⑧可控硅模塊通態平均電流IT：在環境溫度為+40℃和規定冷卻條件下，元件在電阻性負載的單相工頻正弦半波，導通角不小于170度的電路中，當結溫穩定并不超過額定結溫時，所允許的最大通態平均電流。采購晶閘管歡迎訪問昆二晶官網。
        昆二晶可控硅模塊永遠只比對手多一點，就是多為客戶考慮一點。若對我們的可控硅模塊有興趣或存在疑惑，昆二晶歡迎您咨詢，咨詢電話：0577-62627555，我們竭誠為您服務。