可控硅模塊工作時也會和其他功率器件一樣，由于自身功耗而發熱，如果不采取適當的措施將這種熱量散發出去，就會引起模塊管芯PN結溫度急劇上升，致使可控硅模塊特性惡化，直到完全損壞。

       可控硅模塊的功耗主要由導通損耗、開關損耗、門極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應用中最主要的是導通損耗。為了確保器件長期可靠地工作，設計時散熱器及其冷卻方式的選擇與電力半導體模塊的電流電壓的額定值選擇同等重要，千萬不可大意！散熱器的常用散熱方式有：自然風冷、強迫風冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。考慮散熱問題的總原則是：控制模塊中管芯的結溫Tj不超過產品數據表給定的額定結溫。
       實際上，可控硅模塊元件的結溫不容易直接測量，因此不能用它作為是否超溫的判據。通過控制模塊底板的溫度（即殼溫Tc）來控制結溫是一種有效的方法。由于PN結的結溫Tj和殼溫Tc存在著一定的溫度梯度，知道了殼溫也就知道了結溫，而較高殼溫Tc是限定的，由產品數據表給出。借助溫控開關可以很容易地測量到與散熱器接觸處的模塊底板溫度（溫度傳感元件應置于模塊底板溫度較高的位置）。從溫控天關測量到的殼溫可以判斷模塊的工作是否正常。若在線路中增加一個或兩個溫度控制電路，分別控制風機的開啟或主回路的通斷（停機），就可以有效地保證晶閘管模塊在額定結溫下正常工作。
       需要指出的是，溫控開關測量到的溫度是可控硅模塊底板表面的溫度，易受環境、空氣對流的影響，與模塊和散熱器的接觸面上的溫度Tc，還有一定的差別（大約低幾度到十幾度），因此其實際控制溫度應低于規定的Tc值。
       昆二晶可控硅模塊真專家，為了您滿意，我們真的走心了。若對我們的可控硅模塊有興趣或存在疑惑，昆二晶歡迎您咨詢，咨詢電話：0577-62627555！