晶閘管模塊又稱可控硅模塊，在高電壓、大電流的應(yīng)用場合，在晶閘管模塊參數(shù)選擇上，往往很多用戶都不知道該如何選擇，接下來就由晶閘管模塊廠家昆二晶來為您講解。

           (1)晶閘管模塊正反向電壓的選擇
           晶閘管模塊工作時，必須能夠以電源頻率重復(fù)地經(jīng)受一定的過電壓而不影響其工作，所以正反向峰值電壓參數(shù)VDRM、VRRM應(yīng)保證在使用電壓峰值的2-3倍以上。
           (2)晶閘管模塊額定工作電流參數(shù)的選擇
           晶閘管模塊的額定電流是在一定條件下的相當(dāng)大通態(tài)平均電流IT 。由于變流器工作時，各臂的晶閘管模塊可能有不均流因素，而且它通常是小于170℃導(dǎo)通角工作。所以它的額定電流應(yīng)選擇其正常工作電流平均值的1.5-2.0倍。
           (3)晶閘管模塊門極(控制級)參數(shù)的選擇
           晶閘管模考門極施加控制信號使它由阻斷變成導(dǎo)通需經(jīng)歷一段時間，這段時問稱開通時間tgt 。在在串并聯(lián)運行時應(yīng)盡量選擇tgt接近的晶閘管。如果相差太大，在串聯(lián)運行時將引起正向電壓無法平均分配，使開通時間tgt較長的晶閘管受損。并聯(lián)運行時tgt較短的晶閘管將分配更大的電流而受損。
           在不允許晶閘管模塊誤導(dǎo)通的設(shè)備中，如電機(jī)調(diào)速等，可選擇門極觸發(fā)電壓、電流稍大一些的管子(如觸發(fā)電壓VGT > 2V,觸發(fā)電流IGT > 150mA)以保證不出現(xiàn)誤導(dǎo)通，在觸發(fā)脈沖功率大的電路中也可選擇觸發(fā)電壓、電流稍大一點的晶閘管。
           (4)晶閘管模塊關(guān)斷時間(tg) 的選擇
           晶閘管模塊關(guān)斷后需要一定的時間恢復(fù)其阻斷能力。從正向電流過零到器件能阻斷重加正向電壓的瞬間為止的相當(dāng)小時聞間隔是可控硅的關(guān)斷時間tg，工作頻率與關(guān)斷時間有關(guān)。大于50周使用時一定要對關(guān)斷時間參數(shù)作選擇，一般快速晶閘管(即KK型晶閘管)的關(guān)斷時間在10-50μs，其工作頻率可達(dá)到1K-4KHZ;中速晶閘管(即KPK型晶閘管)的關(guān)斷時間在60-100μs，其工作頻率可達(dá)幾百至lKHZ。
           (5)晶閘管模塊電壓上升率(dV/dt)和電流上升率(di/dt) 的選擇
           晶閘管模塊在阻斷狀態(tài)下，所加的正向電壓的上升率超過一定值，器件就會轉(zhuǎn)為導(dǎo)通，使可控硅誤導(dǎo)通。選擇足夠的dV/dt的晶閘管。一般500A的晶閘管dV/dt在100-200V/μs。工作頻率在幾百HZ以內(nèi)應(yīng)選用dV/dt在200-1000V/μs之間KK或KPK晶閘管。
           當(dāng)門極加觸發(fā)脈沖后，晶閘管模塊首先在門極附近的小區(qū)域內(nèi)導(dǎo)通.再逐漸擴(kuò)大，直至全部結(jié)面導(dǎo)通，因此如在剛導(dǎo)通時陽極電流上升太快，可能使PN結(jié)的局部燒壞。普通晶閘管(500A)的di/dt在50一300A/μs，在工頻條件下，di/dt在50A/μs以下就可以滿足使用;在變頻條件下，di/dt必須在100A/μs以上。下列情況對dV/dt和di/dt的要求都比較高，必須選用較大dV/dt和di/dt的晶閘管：①陽極電壓高而且在峰值時觸發(fā)，②接有大容量電容的回路。
           昆二晶晶閘管模塊真專家，為了您滿意，我們真的走心了。若對我們的晶閘管模塊有興趣或存在疑惑，昆二晶歡迎您咨詢，咨詢電話：0577-62627555！