目前交流調(diào)壓多采用雙向可控硅，它具有體積小、重量輕、效率高和使用方便等優(yōu)點(diǎn)，對(duì)提高生產(chǎn)效率和降低成本等都有顯著效果，但它也具有過(guò)載和抗干擾能力差，且在控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點(diǎn)，下面我們來(lái)談?wù)勲p向可控硅在其使用中如何避免上述問(wèn)題。
       1.靈敏度
       雙向可控硅是一個(gè)三端元件，但我們不再稱(chēng)其兩極為陰陽(yáng)極，而是稱(chēng)作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無(wú)論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的最小門(mén)極電流IGT是有區(qū)別的。

       2.可控硅過(guò)載的保護(hù)
       雙向可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多，但是它過(guò)載能力差，短時(shí)間的過(guò)流，過(guò)壓都會(huì)造成雙向可控硅損壞，因此為保證雙向可控硅正常工作，需有條件：
     （1）在雙向可控硅外加電壓下允許超過(guò)正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制極將不起作用；
     （2）雙向可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按最大電流的1.5~2倍來(lái)取；
     （3）為保證雙向可控硅控制極可靠觸發(fā)，加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值，除此以外，還必須采取保護(hù)措施，一般對(duì)過(guò)流的保護(hù)措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè)，當(dāng)在交流側(cè)時(shí)額定電流取大些，一般多采用前者，雙向可控硅過(guò)電壓保護(hù)常發(fā)生在存在電感的電路上，或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過(guò)程產(chǎn)生的過(guò)壓。由于，雙向可控硅過(guò)電壓的尖峰高，作用時(shí)間短，常采用電阻和電容吸收電路加以抑制。
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