可控硅模塊是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。可是你了解它的特性嗎？今天我們就來給大家普及一下關于可控硅模塊的結構和特性的知識：
       可控硅模塊從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式的應用較多。
       可控硅模塊有三個電極——陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。
       可控硅模塊和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅模塊的四層結構和控制極的引用，為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅模塊時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。

       可控硅模塊為什么其有“以小控大”的可控性呢？
       首先，我們可以把從陰極向上數的第一、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間輸入一個正的觸發信號，BG1將產生基極電流Ib1，經放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1 。因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環放大，直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發”的過程，對可控硅模塊來說，觸發信號加入控制極，可控硅模塊立即導通。導通的時間主要決定于可控硅模塊的性能。
可控硅模塊一經觸發導通后，由于循環反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經過BG1、BG2放大后的電流（β1 *β2 *Ib1 ）這一電流遠大于Ib1，足以保持BG1的持續導通。此時觸發信號即使消失，可控硅模塊仍保持導通狀態只有         斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導通的最小值時，可控硅模塊方可關斷。當然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態。這時，即使輸入觸發信號，可控硅模塊也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動發信號是負的，可控硅模塊也不能導通。另外，如果不加觸發信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了。
       可控硅模塊這種通過觸發信號（小的觸發電流）來控制導通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區別于普通硅整流二極管的重要特征。
       今天對于可控硅模塊的介紹就這么多，您都了解了嗎？如果還有疑問，請咨詢我們的網站，我們會及時為您解答。
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