談昆二晶晶閘管模塊的強(qiáng)觸發(fā)問(wèn)題
昆二晶晶閘管模塊以其良好的通斷性能,廣泛應(yīng)用于各類(lèi)儀器設(shè)備當(dāng)中。作為一種電流控制型的雙極型半導(dǎo)體器件,晶閘管模塊能夠向門(mén)極提供一個(gè)特別陡直的尖峰電流脈沖,以保證在任何時(shí)刻均能可靠觸發(fā)晶閘管。晶閘管模塊的門(mén)極觸發(fā)脈沖特性對(duì)晶閘管的額定值和特性參數(shù)有非常強(qiáng)烈的影響。采用強(qiáng)觸發(fā)方式可以使器件的開(kāi)通時(shí)間縮短、開(kāi)通損耗減小、器件耐受di/dt的能力增強(qiáng)。下面,對(duì)昆二晶晶閘管模塊的強(qiáng)觸發(fā)予以詳細(xì)介紹:
一.觸發(fā)脈沖幅值對(duì)晶閘管模塊開(kāi)通的影響
晶閘管模塊的門(mén)極觸發(fā)電流幅值對(duì)元件的開(kāi)通速度有十分明顯的影響,高的門(mén)極觸發(fā)電流可以明顯降低器件的開(kāi)通時(shí)間。在觸發(fā)脈沖幅值僅為器件IGT時(shí),器件雖可開(kāi)通,但器件開(kāi)通時(shí)間延遲明顯,會(huì)高達(dá)數(shù)十微妙,這對(duì)于整機(jī)設(shè)備的可靠控制、安全運(yùn)行是不利的。
二.觸發(fā)脈沖上升時(shí)間(陡度)對(duì)晶閘管模塊開(kāi)通的影響
觸發(fā)脈沖上升時(shí)間(陡度)對(duì)晶閘管模塊的開(kāi)通速度也有明顯的影響,觸發(fā)脈沖上升時(shí)間越長(zhǎng),效果就等于降低了門(mén)極觸發(fā)電流。觸發(fā)脈沖越陡,上升時(shí)間越短的情況下,晶閘管模塊的開(kāi)通時(shí)間也越短。
三.晶閘管模塊可靠觸發(fā)對(duì)門(mén)極觸發(fā)源要求
(1) 一般要求:
觸發(fā)脈沖電流幅值:IG = 10 IGT;
脈沖上升時(shí)間:tr≤1μs;
(2) 高di/dt下運(yùn)用:
器件在高di/dt下運(yùn)用時(shí),特別是當(dāng)晶閘管模塊的阻斷電壓很高時(shí),在開(kāi)通過(guò)程中門(mén)-陰間橫向電阻所產(chǎn)生的電壓可能會(huì)超過(guò)門(mén)極電壓,嚴(yán)重時(shí),甚至?xí)归T(mén)極電流倒流。這種負(fù)的門(mén)極電流會(huì)引起開(kāi)通損耗增加,可能會(huì)導(dǎo)致器件高di/dt損壞。
因此,我們要求在高di/dt下運(yùn)用時(shí),門(mén)極觸發(fā)電源電壓VG不低于20V,或在門(mén)極線(xiàn)路上串聯(lián)二極管,防止門(mén)極電流倒流。
(3) 晶閘管模塊串并聯(lián)使用
晶閘管模塊的串聯(lián):晶閘管串聯(lián)管應(yīng)用時(shí),要求其相互串聯(lián)的每個(gè)晶閘管模塊應(yīng)盡可能地一致開(kāi)通。晶閘管模塊的并聯(lián):陡而強(qiáng)的門(mén)極觸發(fā)脈沖能使并聯(lián)晶閘管開(kāi)通特性的不平衡降至最小,從而使有最佳的均流效果。
昆二晶晶閘管模塊真專(zhuān)家,為了您滿(mǎn)意,我們真的走心了。若對(duì)我們的晶閘管模塊有興趣或存在疑惑,昆二晶歡迎您咨詢(xún),咨詢(xún)電話(huà):0577-62627555!
一.觸發(fā)脈沖幅值對(duì)晶閘管模塊開(kāi)通的影響
晶閘管模塊的門(mén)極觸發(fā)電流幅值對(duì)元件的開(kāi)通速度有十分明顯的影響,高的門(mén)極觸發(fā)電流可以明顯降低器件的開(kāi)通時(shí)間。在觸發(fā)脈沖幅值僅為器件IGT時(shí),器件雖可開(kāi)通,但器件開(kāi)通時(shí)間延遲明顯,會(huì)高達(dá)數(shù)十微妙,這對(duì)于整機(jī)設(shè)備的可靠控制、安全運(yùn)行是不利的。
二.觸發(fā)脈沖上升時(shí)間(陡度)對(duì)晶閘管模塊開(kāi)通的影響
觸發(fā)脈沖上升時(shí)間(陡度)對(duì)晶閘管模塊的開(kāi)通速度也有明顯的影響,觸發(fā)脈沖上升時(shí)間越長(zhǎng),效果就等于降低了門(mén)極觸發(fā)電流。觸發(fā)脈沖越陡,上升時(shí)間越短的情況下,晶閘管模塊的開(kāi)通時(shí)間也越短。
三.晶閘管模塊可靠觸發(fā)對(duì)門(mén)極觸發(fā)源要求
(1) 一般要求:
觸發(fā)脈沖電流幅值:IG = 10 IGT;
脈沖上升時(shí)間:tr≤1μs;
(2) 高di/dt下運(yùn)用:
器件在高di/dt下運(yùn)用時(shí),特別是當(dāng)晶閘管模塊的阻斷電壓很高時(shí),在開(kāi)通過(guò)程中門(mén)-陰間橫向電阻所產(chǎn)生的電壓可能會(huì)超過(guò)門(mén)極電壓,嚴(yán)重時(shí),甚至?xí)归T(mén)極電流倒流。這種負(fù)的門(mén)極電流會(huì)引起開(kāi)通損耗增加,可能會(huì)導(dǎo)致器件高di/dt損壞。
因此,我們要求在高di/dt下運(yùn)用時(shí),門(mén)極觸發(fā)電源電壓VG不低于20V,或在門(mén)極線(xiàn)路上串聯(lián)二極管,防止門(mén)極電流倒流。
(3) 晶閘管模塊串并聯(lián)使用
晶閘管模塊的串聯(lián):晶閘管串聯(lián)管應(yīng)用時(shí),要求其相互串聯(lián)的每個(gè)晶閘管模塊應(yīng)盡可能地一致開(kāi)通。晶閘管模塊的并聯(lián):陡而強(qiáng)的門(mén)極觸發(fā)脈沖能使并聯(lián)晶閘管開(kāi)通特性的不平衡降至最小,從而使有最佳的均流效果。
昆二晶晶閘管模塊真專(zhuān)家,為了您滿(mǎn)意,我們真的走心了。若對(duì)我們的晶閘管模塊有興趣或存在疑惑,昆二晶歡迎您咨詢(xún),咨詢(xún)電話(huà):0577-62627555!
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